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電晶體越來越小，但是高性能計算需求越來越高，有些人就反其道而行之，嘗試製造超大晶片。 之前我們就見識過Cerebras Systems打造的世界最大晶片WSE，擁有46225平方毫米麵積、1.2萬億個電晶體、40萬個AI核心、18GB SRAM緩存……並得到了美國能源部的青睞和部署。 現在，臺積電、博通聯合宣布，雙方將利用晶圓上晶片封裝(CoWos)技術，打造面積達1700平方毫米的中介層(Interposer)，是晶片蝕刻所用光掩模(光罩)尺寸極限858平方毫米的整整兩倍。 這樣規模的中介層顯然是無法一次性單個製造出來的，臺積電實際上是同時在晶圓上蝕刻多個中介層，然後將它們連接在一起，組成一個整體。 工藝上，臺積電也用上了最先進的5nm EUV(N5)，它將在今年上半年投入量產。 所謂中介層，用途就是串聯不同裸片(Die)的橋樑，因為隨著現代晶片日益複雜，製造單個大型SoC的代價越來越大，所以行業普遍開發出了各種新的封裝技術，將不同的小晶片、模塊整合在一起，構成一顆大晶片。 博通就計劃用這個龐大無比的中介層，封裝多個SoC晶片，以及六顆HMB2內存，單顆容量16GB，總容量達96GB/s，帶寬也高達2.7TB/s。 看這規格，應該是三星最新的HBM2E。 臺積電和高通未透露這種龐大晶片的具體規格，只是說將用於高性能計算領域。 另外，臺積電還在改進CoWoS封裝技術，所以未來不排除面積超過1700平方毫米的更大晶片。

文章來源取自於：

壹讀 https://read01.com/NNGLMmn.html

博客來 https://www.books.com.tw/exep/assp.php/888words/products/0010808098

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